이재용 삼성전자 부회장이 2일 경기도 화성사업장 반도체연구소를 찾아 새해 첫 일정을 소화했다.

지난해 발표한 ’반도체 비전 2030’ 달성을 위해서 시스템 반도체도 ‘초격차’ 확보가 절실한다는 걸 강조하기 위한 포석으로 해석된다.

삼성전자에 따르면 이 부회장은 이날 3나노 공정기술과 관련해 보고 받고 DS(디바이스솔루션) 부문 사장단과 차세대 반도체 전략을 논의했다.

회의에는 삼성전자 김기남 부회장, 정은승 사장, 진교영 사장, 강인엽 사장, 강호규 반도체 연구소장 부사장 등이 참석했다.

이 부회장은 현장에서 "과거의 실적이 미래의 성공을 보장해주지 않는다"며 "역사는 기다리는 것이 아니라 만들어 가는 것"이라고 강조했다.

지난 2017∼2018년 반도체 슈퍼호황기를 지나 지난해 실적 부진을 겪은 데 대한 자성의 목소리로 읽힌다.

그는 이어 임직원들에 "잘못된 관행과 사고는 과감히 폐기하고 새로운 미래를 개척해 나가자"고 당부했다.

또 "우리 이웃, 우리 사회와 같이 나누고 함께 성장하는 것이 우리 사명이자 100년 기업에 이르는 길임을 명심하자"고 강조했다.

지난 11월 호암 이병철 선대 회장의 32주기 추모식에서 "선대 회장 사업보국(事業報國) 이념을 기려 우리 사회와 나라에 보탬이 되도록 하자"고 언급한 데 이은 것이다.

이 부회장은 지난해 첫 일정으로는 경기 수원사업장 5세대 이동통신(5G) 네트워크 통신장비 생산라인 가동식에 참석해 '4차 산업혁명의 전방 기지'를 둘러봤다.

올해 또한 차세대 먹거리에 속하는 '3나노 반도체'와 관련 전략을 논의하며 신성장 사업에 힘을 싣는 모습이다.

삼성전자가 세계 최초로 개발한 3나노 반도체에는 반도체 미세화의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술 'GAA(Gate-All-Around)'가 적용됐다. 전류가 흐르는 원통형 채널 전체를 게이트로 둘러싸는 구조가 핵심이다. 이는 기존의 핀펫(FinFET) 공정 대비 칩 면적을 줄이는 동시에 소비전력과 성능을 향상할 수 있어 반도체 미세화의 한계를 극복할 수 있는 기술로 평가받고 있다.

최근 공정 개발을 완료한 5나노 제품과 비교해 칩 면적을 약 35% 이상 줄일 수 있으며 소비전력을 50% 감소시키면서 성능은 약 30% 향상할 수 있다는 게 회사의 설명이다.

특히 파운드리(반도체 위탁생산) 글로벌 1위 업체인 대만 TSMC와 선두를 겨루고 있는 기술이어서 지난해 발표된 '반도체 비전 2030' 실현과도 연관이 깊다.

삼성전자는 2030년까지 총 133조원을 투자해 시스템 반도체 글로벌 1위로 올라서겠다고 밝힌 바 있다.