일본 반도체업체 도시바메모리는 데이터센터의 저장장치에 사용하는 신형 메모리반도체‘XL-FLASH’를 개발하고, 다음 달 샘플 출하에 착수한다고 7일 발표했다.

이 회사는 “기억소자를 96층 적층하는 최첨단의 3차원 플래시메모리 기술과 1개의 기억소자에 1비트를 기록하는 SLC 방식을 결합해 고속 처리를 실현했다”고 설명했다.

현재 낸드(NAND)형 플래시메모리는 대용량화를 위해 ​​1개의 기억소자에 3비트를 기록하는 TLC 방식이 주류이다. XL-FLASH는 SLC 방식을 채용해 읽기 시간을 낸드의 약 10분의 1로 단축했다.

도시바메모리는 우선 128기가비트 제품을 샘플링하고 2020년 양산을 예정하고 있다.

데이터센터는 고속 D램과 대용량 플래시메모리의 중간을 메우기 위해 ‘스토리지 클래스’로 분류되는 신형 메모리의 활용이 확산되고 있다. 삼성전자도 읽기 시간을 단축한 신형 메모리 ‘Z-NAND’를 상품화하고 있다.

도시바 메모리는 낸드와 XL-FLASH를 결합하여 성장 분야로 기대되는 데이터센터용 제품군을 강화해 나간다는 전략이다.