삼성전자는 업계 최초로 12나노급 32Gb DDR5 D램을 개발했다고 1일 밝혔다. 연내 양산에 나설 계획이다. 

32Gb는 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량이다. 

1983년 64Kb(킬로 비트) D램을 개발한 삼성전자는 2023년 32Gb D램 개발로 40년만에 D램의 용량을 50만배 늘린 것이다. 이 회사는 지난 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한데 이어 업계 최대 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공했다.

특히 이번 32Gb 제품은 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현해 128GB(기가 바이트) 모듈을 TSV(실리콘 관통 전극)공정없이 제작 가능하게 됐다. 기존 32Gb 이하 용량으로 128GB 모듈 제작할 경우 TSV 공정 사용이 필수적이다.

TSV(Through Silicon Via)는 칩을 얇게 간 다음, 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술을 말한다.

또 동일 128GB 모듈 기준, 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비 전력 개선이 가능해 데이터센터 등 전력 효율을 중요시하는 IT 기업들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 삼성전자는 기대했다.

삼성전자는 이번 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 나갈 계획이다.

또 AI시대를 주도할 고용량, 고성능, 저전력 제품들로 글로벌 IT 기업들과 협력해 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 예정이다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장(부사장)은 "이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다"며 "삼성전자는 향후에도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것"이라고 말했다.