미국 인텔이 지난 18일(현지 시간)에 데이터센터에 적용되는 4가지 신제품을 발표했다.
구체적으로는 (1)MPU인 ‘제3세대 Xeon Scalable Processor’ (2)FTAG(연산회로를 자유롭게 변경할 수 있는 비메모리 반도체)인 ‘Stratix 10 NX’ (3)3차원 NAND형 플래시메모리 기반의 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)인 ‘D7-P5500/P5600’ (4)상변화 메모리 모듈인 ‘Optane Persistent Memory 200 Series’이다.
인텔 측은 모두 인공지능(AI) 처리 능력을 높인 제품이라고 특징을 설명한다.
‘제3세대 Xeon Scalable Processor’의 개발 코드는 ‘Cooper Lake’이다. 인텔은 지난해 8월에 이미 Cooper Lake 대해 발표한 바 있다. 당시, Cooper Lake를 제3세대 Xeon Scalable Processor로 2020년 상반기에 출시하겠다고 선언했다. 이번 발표를 통해 그 약속이 지켜진 것이다.
신제품 제3세대 Xeon Scalable Processor는 4/8 소켓용 MPU로, 심층학습(딥러닝) 처리에서 고속화 기능인 ‘Intel Deep Learning Boost’를 강화한 것이 특징이다. 구체적으로는 미국 구글이 정의한 딥러닝을 위한 16비트 부동소수점 연산 형식 ‘bfloat16’을 지원한다. 이에 따라 전 세대 제품인 32비트 부동소수점 연산 처리에 비해 학습에서 1.93배, 추론에서 1.9배의 고성능화를 도모할 수 있었다고 인텔 측은 밝힌다. 게다가 소프트웨어의 변경은 최소화 해, 정확도는 32비트 부동소수점 연산에 뒤지지 않는다고 한다.
제3세대 Xeon Scalable Processor는 11개 모델이 준비된다. 이 중 6개 모델이 Xeon Platinum Processor이고, 나머지 5개 모델은 Xeon Gold Processor이다. 하이엔드인 ‘Xeon Platinum 8380HL Processor’는 28개 코어를 갖춰, 56스레드(thread) 처리가 가능하다. 기본 클록 주파수는 2.9 기가헤르츠, 1개 코어 당 동작 시의 최대 동작 주파수는 4.3기가헤르츠, 열 설계 전력 (TDP)은 250W, 1소켓 당 최대 4.5테라바이트의 D램을 외부에 부착할 수 있다.
저가형인 ‘Xeon Gold 5318H Processor’는 18개 코어를 갖추고 있으며, 36스레드의 처리가 가능하다. 기본 클록 주파수는 2.5기가헤르츠, 1코어 동작 시의 최대 동작 주파수는 3.8기가헤르츠, 열 설계 전력(TDP)는 150W트, 1소켓 당 최대 1.12테라바이트의 D램을 장착할 수 있다.
제3세대 Xeon Scalable Processor는 14나노미터 공정으로 제조한다. 개발 코드 명이 ‘Ice Lake’로 10나노미터 공정으로 제조하는 Xeon Scalable Processor는 2020년 후반에 출시할 예정이다. Ice Lake는 1/2소켓을 위한 MPU이다.
인텔은 2021년에는 개발 코드 명이 ‘Sapphire Rapids’인 차세대 Xeon Scalable Processor를 출시할 예정이다. 이것은 10나노미터 공정으로 제조할 예정이며, 1~8 소켓을 위한 MPU를 목표로 한다.
■ 최초의 AI 처리에 최적화 한 FPGA
FPGA 신제품인 ‘Stratix 10 NX’는 인텔 최초의 AI 처리에 최적화 된 FPGA라고 인텔 측은 강조한다. 지금까지의 Stratix 10 제품과 마찬가지로 14나노미터 공정으로 제조한다. 기존의 Stratix 10 MX와 마찬가지로, Stratix 10 NX는 3차원 실장 D램인 RAM의 ‘HBM(High Bandwidth Memory)’를 혼재하지만, Stratix 10 MX보다 추론 처리를 위한 8비트 정수 연산 능력이 15배 높다고 한다. Stratix 10 NX는 ‘AI Tensor Block’으로 불리는 뉴럴 네트워크 처리에 특화된 회로를 구비한 게 효과를 낸다. 기존의 Stratix 10 MX에서는 범용 회로인 DSP 블록으로 대응한다.
SSD 신제품인 D7-P5500/P5600은 TLC(트리플 레벨 셀)의 3차원 NAND 플래시를 사용한다. 이전 세대 제품에 비해 대기시간(지연)이 최대 40% 줄어들면서 최대 성능은 33% 향상됐다는 게 인텔 측의 설명이다.
상변화 메모리 모듈 신제품인 Optane Persistent Memory 200 Series의 소켓 당 메모리 용량은 최대 4.5테라바이트. 이전 세대 제품에 비해 전송 대역폭이 평균 25% 확대됐다. 액세스 속도도 경쟁 제품에 비해 225배 이상 빨라졌다고 한다.