삼성전자가 5.0GB 기준 고화질(FHD) 영화를 4초 만에 내려받을 수 있는 역대 최고 속도의 스마트폰용 차세대 메모리를 양산한다.

삼성전자는 스마트폰용 메모리 '512GB eUFS 3.1(embedded Universal Flash Storage 3.1)'을 세계 최초로 본격 양산했다고 17일 밝혔다.

UFS는 SSD의 빠른 성능을 구현한 기술들을 모바일용 저장장치에 도입해 저전력과 고성능을 동시에 추구하는 기술이다. 5G 시대의 더 빨라진 통신 속도에 걸맞은 성능이 필요한 5G폰에 탑재될 것으로 보인다.

이번에 선보인 '512GB eUFS 3.1'은 연속 쓰기 속도가 기존 512GB eUFS 3.0 보다 약 3배 빠른 1,200MB/s로 FHD 영화 1편(5.0GB 기준)을 약 4초만에 저장할 수 있다.

이는 SATA SSD를 탑재한 PC의 데이터 처리속도 540MB/s보다 2배 이상, UHS-I 마이크로SD 카드 속도(90MB/s) 보다 10배 이상 빠르다.

이번 제품의 연속 읽기 속도는 2,100MB/s, 임의 읽기와 임의 쓰기 속도는 각각 10만 IOPS(Input/Output Operations Per Second), 7만 IOPS로 기존 'eUFS 3.0' 제품보다 성능을 향상했다.

스마트폰에 '512GB eUFS 3.1' 메모리를 탑재하면 8K 초고화질 영상이나 수백장의 고용량 사진도 빠르게 저장할 수 있어 소비자가 울트라 슬림 노트북 수준의 편의성을 체감할 수 있다.

또 100GB의 데이터를 새 스마트폰으로 옮길 때 기존 eUFS 3.0 메모리 탑재폰은 4분 이상 시간이 걸렸지만, eUFS 3.1 탑재폰은 약 1분 30초면 충분하다.

삼성전자는 512GB, 256GB, 128GB 세가지 용량으로 구성된 'eUFS 3.1' 제품 라인업으로 올해 플래그십 스마트폰 메모리 시장을 선점할 계획이다.

최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 부사장은 "메모리 카드의 성능 한계를 뛰어넘은 eUFS 3.1을 본격 양산함으로써 소비자들이 스마트폰에서 데이터를 저장할 때 느꼈던 답답함을 말끔하게 해결했다"며, "올해 모바일 제조사들이 요구하는 물량을 안정적으로 공급할 수 있도록 모든 준비를 해 나갈 것"이라고 밝혔다.

삼성전자는 평택캠퍼스 P1 라인에서 생산중인 5세대 V낸드를 6세대 V낸드로 본격 전환하고, 최근 첫 제품 출하식을 가진 중국 시안(西安) 신규 2라인(X2)에서도 5세대 V낸드 양산을 시작해 플래그십 스마트폰에서 하이엔드 스마트폰 시장까지 본격 공략할 계획이다.