삼성전자, 日 도쿄서 '반도체 초격차' EUV 기술 과시
삼성전자, 日 도쿄서 '반도체 초격차' EUV 기술 과시
  • 윤종현 기자
  • 승인 2019.09.04 19:01
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'삼성 파운드리 포럼' 개최...日 팹리스·협력사 대거 참석

삼성전자가 일본의 수출제재 속에서도 비메모리 반도체 분야의 초격차 기술인 극자외선(EUV) 파운드리(반도체 수탁생산) 기술력을 일본 기업들에 과시했다.

아울러 삼성전자는 일본에서 열린 파운드리포럼을 통해 핵심 소재 수출규제에 따른 EUV 반도체 생산차질 우려를 불식하는 데 주력한 것으로 알려졌다.

삼성전자는 4일 일본 도쿄 인터시티홀에서 ‘삼성 파운드리포럼(SFF)2019 재팬’을 개최하고 7나노 EUV 공정으로 제작한 제품과 2020년부터 본격 가동하는 화성캠퍼스의 EUV 전용 생산라인 등에 대해 고객사에게 설명했다.

이 날 행사장에는 당초 예상보다 많은 300여명의 팹리스(반도체 설계업체)와 파운드리 파트너사 관계자들이 참석했다.

삼성전자 정은승 파운드리 사업부장이 4일 일본 도쿄 인터시티홀에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2019 재팬'에서 기조연설을 하고 있다.
삼성전자 정은승 파운드리 사업부장이 4일 일본 도쿄 인터시티홀에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2019 재팬'에서 기조연설을 하고 있다.

삼성 파운드리 포럼은 삼성전자가 주요 국가를 돌며 파운드리사업의 로드맵과 신기술을 소개하는 행사다. 2016년 미국에서 처음 시작했고 2017년부터는 한국을 비롯해 미국, 중국, 일본, 유럽 등 5개 지역에서 순차적으로 열리고 있다.

올해로 4회째를 맞는 SFF는 일본에서 열릴 예정이었지만 7월부터 일본 정부가 수출규제조치를 단행하면서 개최를 취소하는 것 아니냐는 전망이 나왔다.

반도체 업계 관계자는 “일본의 수출규제조치로 삼성전자 파운드리 사업에 차질을 우려하는 고객사들을 안심시키고 기술력을 알리기 위해 예정대로 행사를 진행한 것으로 알고 있다”고 전했다.

이번 행사에서는 삼성전자 파운드리사업부의 정은승 사장이 기조연설에 나서 현지 거래처들에 삼성의 파운드리 청사진을 소개했다.

삼성전자는 이날 내년에 도입할 3나노 GAA(Gate-All-Around) 공정을 소개하고 공정설계 키트(PDK)를 고객사에 배포했다.

삼성전자의 3나노 파운드리 공정은 최신 양산공정인 7나노 핀펫 대비 칩 면적을 45%가량 줄일 수 있으며, 50%의 소비전력 감소와 35%의 성능 향상 효과를 얻을 수 있는 첨단기술이다. 삼성전자는 지난 4월 화성사업장 S3라인에서 7나노 파운드리 양산에 돌입했고, 연내 4나노 개발에 이어 내년 3나노 개발을 완료할 계획이다.

특히 이번 포럼에선 최근 일본의 수출규제로 공급차질이 우려된 EUV 파운드리공정의 생산 안정성도 적극 설명한 것으로 관측됐다.

일본은 7월 초부터 에칭가스(고순도 불화수소), 플루오린 폴리이미드(PI)와 함께 EUV 핵심 소재인 포토레지스트(감광액)를 포괄허가 대상에서 개별허가로 변경해 수출규제에 들어갔다. 삼성전자는 포토레지스트를 전량 일본에서 수입하고 있다.

이 때문에 국내에서 유일하게 EUV 양산체제를 운영하는 삼성전자의 생산차질 우려가 나오고 있다. 다만 지난달 삼성전자가 신청한 포토레지스트 수출허가 2건이 통과돼 급한 불은 껐다.

업계 관계자는 "포토레지스트 수출허가가 최근 났지만 공급 불확실성이 과거보다 높다는 점에서 삼성 EUV 반도체공정의 생산차질 우려가 완전히 해소되진 못했다"며 "이번 포럼에서는 현지 업체들에 삼성의 기술력과 안정적 양산능력을 전달하는 데 주안점을 둔 것으로 보인다"고 밝혔다.


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