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TI, 델타 일렉트로닉스의 데이터센터 서버 전원공급 장치에 GaN 기술 제공
TI, 델타 일렉트로닉스의 데이터센터 서버 전원공급 장치에 GaN 기술 제공
  • 문상현 기자
  • 승인 2021.09.23 11:15
  • 댓글 0
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업계 최고의 전력 밀도, 새로운 아키텍처, 통합기능으로 총 소유비용 절감 및 엔지니어들의 엔터프라이즈 서버 설계 과제 해결

텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments. 이하, TI)는 자사의 GaN(질화칼륨) 기술과 C2000™ 실시간 마이크로컨트롤러(MCU) 기술을 델타 일렉트로닉스의 전력 효율성이 높은 엔터프라이즈 서버 전원 공급 장치(PSU) 설계를 위해 제공한다고 23일 밝혔다.

이 서버 전원 공급 장치는 기존 아키텍처를 사용하는 엔터프라이즈 서버 전원 공급 장치에 비해 데이터 센터 애플리케이션의 경우 전력 밀도를 80% 향상시키고 배터리 효율성은 1% 더 우수해 최대 99.2%의 효율을 달성한다.

에너지 및 기후정책 싱크탱크인 에너지 이노베이션에 따르면 1%의 효율 향상은 데이터 센터당 1메가 와트의 TCO를 절감하는 것과 같은 효과이며 이는 800가구의 전력 소모량에 해당된다.

델타 일렉트로닉스는 전원 및 열 관리 솔루션의 글로벌 리더로, IT, 전기차 충전, 가전 및 산업용 파워를 포함한 다양한 분야의 애플리케이션 용 AC/DC, DC/DC, DC/AC 전원 시스템을 제공한다.

델타 일렉트로닉스가 TI를 선택한 이유는 십 년 넘게 GaN 기술에 지속적으로 투자해 왔을 뿐만 아니라 C2000 MCU 같은 실시간 제어 솔루션을 제공하기 때문이다. TI는 혁신적인 반도체 제조 프로세스를 적용하여 GaN-on-Si 기술 및 집적회로(IC)를 제조함으로써, 델타 일렉트로닉스 같은 회사가 차별화된 애플리케이션을 통해 전 세계 데이터 센터에 보다 효율적으로 전력을 공급할 수 있도록 지원한다.

고전압, 고전력 산업용 애플리케이션에서 통합 전원 솔루션을 통해 제한된 보드 공간에서 더 높은 성능을 달성할 수 있다. TI의 GaN FET은 고속 스위칭 드라이버와 내부 보호 및 온도 센싱 기능을 통합한다.

IC에 대한 4천만 시간 이상의 디바이스 신뢰성 테스트와 5GWh 이상의 전원 변환 테스트를 실시함으로써, GaN을 더 작고, 가볍고, 효율적인 전원 시스템을 설계하고자 하는 엔지니어들을 위해 철저한 신뢰성 데이터를 제공한다.

GaN 전원 솔루션과 함께 TI C2000 실시간 MCU는 복잡하고 시간이 중요한 프로세싱, 정밀 제어, 소프트웨어 및 주변장치의 확장성을 지원한다. 또한 이러한 MCU는 설계의 전력 효율을 극대화하기 위해 다양한 전원 설계 토폴로지와 높은 스위칭 주파수를 지원함으로써 서버 PSU를 위한 GaN 기반 전원 솔루션의 이점을 최대한 실현한다.

특히, 회로 설계에 있어서 전문성과 경험을 축적함으로써 제조를 단순화하고 통신, 산업용, 차량 시장의 변화하는 요구를 지원하기 위해 다양한 옵션을 구성하여 GaN-on-Si 생산량을 확대할 수 있도록 지원한다.

TI의 고전압 전원 분야의 스티브 램버스(Steve Lambouses) 부사장은 “TI의 열정은 반도체를 통해서 더 나은 세상을 만드는 것이다. TI의 GaN 기술은 더 높은 효율과 더 작고 신뢰할 수 있는 솔루션을 제공한다. 기술에 대한 투자 외에도 내부적인 제조 역량을 강화하기 위한 투자도 지속함으로써 GaN과 같은 신기술이 더 빠르게 자리를 잡고 델타 일렉트로닉스와 같은 고객들이 혁신을 이루도록 지원한다.”고 말했다.


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